勻膠顯影系統是一種用于信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，涂膠顯影設備是芯片制程中不可少的處理設備，利用機械手實現晶圓在各系統間的傳輸和加工，與光刻機達成配合從而完成晶圓的光刻膠涂覆、固化、顯影等工藝過程。作為光刻機的輸入即曝光前光刻膠涂覆和輸出即曝光后圖形的顯影，涂膠顯影機的性能不僅對細微曝光處的形成造成直接影響，而且其顯影工藝的圖形質量和誤差控制對后續蝕刻、離子注入工藝中的圖形轉移結果也有著深刻的影響。
 

　　半導體生產中有前道工藝和后道工藝， 前道工藝指的是從硅片加工開始直到在硅片上制成集成電路結束的工藝流程。涂膠顯影設備作為集成電路制造前道晶圓加工環節的重要工藝設備，在晶圓廠設備采購中占有十分重要的地位。近年來芯片的發展一度成為各國間的角逐點，帶動全球晶圓廠設備的需求，也使得涂膠顯影設備份額呈現增長態勢。
 

　　勻膠顯影系統顯影原理：相紙、膠卷表面保護基下,是溴化銀涂層(還有其他的從略),溴化銀見光分解,顯影液與其發生化學反應,分解析出。 拍照好的底片,圖像在上面明暗不同,分解程度也就不一樣了。沖洗出來就是底片。
 

　　什么叫正膠顯影和負膠顯影？
 

　　正膠顯影：正性光刻膠的曝光區的光刻膠在顯影液中溶解，在光刻膠上形成三維圖形。
 

　　負膠顯影：在負性光刻膠的非曝光區的光刻膠在顯影液中溶解，在光刻膠上形成三維圖形。
 

　　正膠具有很好的對比度，所以生成的圖形具有良好的分辨率，其他特性如，臺階覆蓋好、對比度好；粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。負膠的特性為，具有良好的粘附能力和阻擋作用、感光速度快；顯影時發生變形和膨脹，所以只能用于2μm的分辨率。