AT200M 經濟型原子層沉積設備

• 占地面積?。▇ 15 英寸 3 或 38.1 厘米 3：寬：14 英寸（35.5 厘米）x 深：15 英寸（38.1 厘米）x 高：14.5 英寸（36.5 厘米））

• 適合手套箱

• 可容納來自 2“ x 2" x 3“ 或四個 2" 圓形/方形晶圓的樣品（可定制卡盤/8 x 2“ 盒）

• 一種前驅體和一種反反應物（也提供我們的 4 端口選項：3 個前驅體和 1 個反反應物或 2 個前驅體和 2 個反反應物）

• 新 – AT 200M Plus，配備 13.56MHz、80W 空心陰極等離子體源（1 個標準 MFC 和最多 2 個可用）。

• 帶有金屬密封線的半導體級組件

• 通風前體外殼

• 高溫兼容、快速脈沖的 ALD 閥，帶有用于集成惰性氣體吹掃的超快速 MFC

• 前體（最高 180°C），歧管，腔室加熱以確保無冷凝。

• 強大的 PLC 驅動用戶界面（可通過 Windows 進行遠程以太網控制）

• 不銹鋼腔體可加熱至 300°C（可選卡盤可達 450 °C 或更高）

特征

• 
  

• 占地面積小（~ 15 in3 或 38.1 cm3），可輕松安裝在手套箱中或 SEM/TEM 蒸發器旁邊。

• 一個前體和一個反反應物（可擴展到 4 個）

• 可容納來自 2“ x 2" x 3“ 或四個 2" 圓形/方形晶圓的樣品（可定制卡盤/8 x 2“ 盒）

• 通風前體外殼

• 高溫兼容、快速脈沖的 ALD 閥，帶有用于集成惰性氣體吹掃的超快速 MFC – 標準配置

• 金屬密封線

• 前體（最高 180°C），歧管，腔室加熱以確保無冷凝。

• 不銹鋼腔室可加熱至 300°C（可選擇 450 °C 或更高）

• 帶集成 PLC 控制器的 5 英寸顯示器（無需 PC）

規格

• 室溫從室溫到 300°C ± 1 °C

• 前驅體溫度從室溫到 180°C ± 2°C（帶加熱夾套）

• 市場上占地面積最小（1.6 平方英尺），臺式安裝，潔凈室兼容（與我們大型系統的所有安全聯鎖裝置），也適合手套箱。

• 系統維護簡單，公用事業和前體使用量低。

• 腔室容積小

• 非?？斓难h能力。

• 完整的硬件和軟件聯鎖，即使在多用戶環境中也能安全運行

選項

• · 無需集成手套箱 [適合手套箱（或連接到手套箱的側面）

• · 定制卡盤/壓板（方形、圓形、雙基板、籃子、小件、較厚的基板、8 個晶圓盒）。

• · 新 – AT 200M Plus，配備 13.56MHz、80W 空心陰極等離子體源（1 個標準 MFC 和最多 2 個可用）。

• · 新產品：溫度補償 QCM

• · 新：450 °C（或更高）卡盤

• · ATOzone – 臭氧發生器（某些薄膜需要：Pt、Ir、SiO₂、MoO₂、60°C 以下的高質量 Al₂O₃、高質量 HfO₂）

• · 可選 – 臭氧安全監測器，可實時檢測環境臭氧氣體

• · 4 端口選項（例如：2 個加熱前驅體、1 個未加熱前驅體、1 個反反應物）

• · 新 – 6 端口選項（例如：2 個加熱前驅體、2 個未加熱前驅體、2 個 MFC 控制的反反應物）

• · 新 – MLD 選項

• · 粉末涂料滾筒

• 外部控制 – PC/軟件鏈接（允許遠程編程和運行）

• 包括可通風前體柜

安裝

有關詳細說明，請參閱我們的說明：“AT200M 安裝和啟動 "

• · N₂ 吹掃氣體應為 >99.9995%，帶截止閥（調節至 10 – 30 psi，金屬密封），

• · 通過 1/4 英寸金屬密封管將氮氣 （UHP） 吹掃氣體連接到背面的 1/4 英寸壓縮接頭上

• · 通過 1/4“ 聚乙烯管或金屬線將 90-110 psi CDA（清潔干燥空氣）連接到另一個 1/4" 壓縮接頭

• · 使用適當的 1 英寸真空（金屬 （SS））軟管 （KF25）、O 形圈和夾子連接泵

• · 真空泵的另一側（排氣側）（* 全氟真空油，如 Fomblin，必需）應進入標準實驗室排氣或頂部，抽> 5cfm（1 英寸管道）。

• · 大于 1 米需要使用 1.5 英寸 （NW40）。

• · 前體通過內螺紋 VCR 彎頭連接（始終使用新墊圈）。

• · 先是 1/4 英寸墊圈（戴手套）

· 有關前驅體的連接，請參閱 “AT200M 安裝和啟動 "

軟件

有關詳細說明，請參閱我們的演示和視頻說明：“AT200M 安裝和啟動 "

• 帶 5 英寸觸摸屏的人機界面 （HMI） PLC 系統

• 
  面板

• · 適用于標準 ALD 循環沉積的先進控制

• · 用于高質量、經過測試的工藝的配方數據庫

• · 自定義配方輸入屏幕

• · 實時顯示工藝狀態

• · 可單獨編程的加熱源溫度

• · 用于三元化合物和納米層壓板的內置脈沖序列

• · 快速運行，簡單的問題讓用戶開始

• · 輸入子周期和總周期